Антава

INFINEON

Транзистор IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
6A
Power dissipation
62.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD65R660CFDBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current6A
Power dissipation62.5W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.66Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя