Антава

INFINEON

Транзистор IPD65R600E6BTMA1

IPD65R600E6BTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
7.3A
Power dissipation
63W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD65R600E6BTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current7.3A
Power dissipation63W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя