Антава

INFINEON

Транзистор IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
16.1A
Power dissipation
208W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD65R250E6XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current16.1A
Power dissipation208W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.25Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя