Антава

INFINEON

Транзистор IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
3.2 A
Power dissipation
28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD65R190C7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current3.2 A
Power dissipation28 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя