Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.2 A
Pulsed drain current
19 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 046 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%143,00 ₽

Сумма · с НДС 22%143,00 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1143,00 ₽
от 5129,27 ₽
от 25114,40 ₽
от 100110,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD60R650CEAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.2 A
Pulsed drain current19 A
Power dissipation82 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.65 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W

Документация

Документы пока не предоставлены.