Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.2 A
Pulsed drain current
19 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD60R650CEAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.2 A
Pulsed drain current19 A
Power dissipation82 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.65 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W

Документация

Документы пока не предоставлены.