Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R600P7SE8228AUMA1

IPD60R600P7SE8228AUMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6 A
Power dissipation
30 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD60R600P7SE8228AUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Drain-source voltage600 V
Drain current6 A
Power dissipation30 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 6A; 30W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.