Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD60R600P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation30 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3

Документация

Документы пока не предоставлены.