Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7.3 A
Power dissipation
63 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD60R600P6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7.3 A
Power dissipation63 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.