Антава

INFINEON

Транзистор IPD60R280P7S

IPD60R280P7S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8 A
Power dissipation
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD60R280P7S
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8 A
Power dissipation53 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя