Антава

INFINEON

Транзистор IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Power dissipation
94 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD60N10S4L12ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Power dissipation94 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance9.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.