Антава

INFINEON

Транзистор IPD600N25N3GATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD600N25N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current18 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation136 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W

Документация

Документы пока не предоставлены.