Антава

INFINEON

Транзистор IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
21 A
Рассеиваемая мощность
68 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD530N15N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current21 A
Рассеиваемая мощность68 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance44 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.