Антава

INFINEON

Транзистор IPD50R950CEAUMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
6.6 A
Power dissipation
53 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD50R950CEAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current6.6 A
Power dissipation53 W
КорпусDPAK3
On-state resistance2.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; 53W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.