Антава

INFINEON

Транзистор IPD50R950CEATMA1

IPD50R950CEATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
4.3A
Power dissipation
34W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD50R950CEATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current4.3A
Power dissipation34W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.95Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.3A; 34W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя