Антава

INFINEON

Транзистор IPD50R399CPBTMA1

IPD50R399CPBTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
9 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD50R399CPBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current9 A
Power dissipation83 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.399 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3

Документация

Документы пока не предоставлены.