INFINEON

Транзистор IPD50P04P4L11ATMA2

IPD50P04P4L11ATMA2

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -40 A
Pulsed drain current: -200 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPD50P04P4L11ATMA2
Производитель	INFINEON
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	OptiMOS® -P2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-40 A
Pulsed drain current	-200 A
Power dissipation	58 W
Корпус	PG-TO252-3-313
Gate-source voltage	-16...5 V
On-state resistance	10.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W

Документация

Документы пока не предоставлены.