Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N10S3L-16

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
50 A
Power dissipation
100 W
Корпус
DPAK3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 867 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%349,51 ₽

Сумма · с НДС 22%15 028,93 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 43349,51 ₽
от 50245,03 ₽
от 100229,84 ₽
от 300220,34 ₽
от 500195,65 ₽
от 1000193,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD50N10S3L-16
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current50 A
Power dissipation100 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.