Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N10S3L-16

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
50 A
Power dissipation
100 W
Корпус
DPAK3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD50N10S3L-16
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current50 A
Power dissipation100 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.