Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
36 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD50N06S4L12ATMA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current36 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W

Документация

Документ производителя