Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N06S409ATMA2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS® -T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD50N06S409ATMA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS® -T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current47 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation71 W
КорпусPG-TO252-3-11
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.