Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
50 A
Power dissipation
41 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD50N04S410ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current50 A
Power dissipation41 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.2nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.