Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N04S4-08

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Drain-source voltage
40 V
Drain current
50 A
Power dissipation
46 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD50N04S4-08
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Drain-source voltage40 V
Drain current50 A
Power dissipation46 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.