Антава

INFINEON

Транзистор IPD50N03S4L06ATMA1

IPD50N03S4L06ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
56 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD50N03S4L06ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность56 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance4.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.