INFINEON

Транзистор IPD35N10S3L26ATMA1

PG-TO252-3-11Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 25 A
Pulsed drain current: 140 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPD35N10S3L26ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS® -T
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	25 A
Pulsed drain current	140 A
Power dissipation	71 W
Корпус	PG-TO252-3-11
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	24 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A

Документация

Документы пока не предоставлены.