Антава

INFINEON

Транзистор IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
57 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD30N12S3L31ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность57 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance31 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 30A; 57W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.