INFINEON

Транзистор IPD30N08S2L21ATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75 V
Drain current: 30 A
Pulsed drain current: 120 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPD30N08S2L21ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	75 V
Drain current	30 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	136 W
Корпус	PG-TO252-3-11
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	20.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W

Документация

Документы пока не предоставлены.