Антава

INFINEON

Транзистор IPD30N08S2L-21

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
75 V
Drain current
30 A
Power dissipation
136 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD30N08S2L-21
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage75 V
Drain current30 A
Power dissipation136 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 75V; 30A; 136W; DPAK3; single transistor

Документация

Документы пока не предоставлены.