Антава

INFINEON

Транзистор IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD30N08S222ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность136 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя