Антава

INFINEON

Транзистор IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75V
Drain current
30A
Power dissipation
136W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD30N08S222ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75V
Drain current30A
Power dissipation136W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя