Антава

INFINEON

Транзистор IPD30N06S2L-23

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
55 V
Drain current
30 A
Power dissipation
100 W
Корпус
PG-TO252-3-11
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD30N06S2L-23
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage55 V
Drain current30 A
Power dissipation100 W
КорпусPG-TO252-3-11
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11

Документация

Документы пока не предоставлены.