INFINEON

Транзистор IPD200N15N3GATMA1

PG-TO252-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 200 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPD200N15N3GATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™ 3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	150 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	200 A
Рассеиваемая мощность	150 W
Корпус	PG-TO252-3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	20 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W

Документация

Документы пока не предоставлены.