Антава

INFINEON

Транзистор IPD200N15N3 G

IPD200N15N3 G
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
50 A
Корпус
DPAK
On-state resistance
20 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 621 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%457,35 ₽

Сумма · с НДС 22%11 891,10 ₽

От 26 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 26457,35 ₽
от 30371,13 ₽
от 50354,26 ₽
от 100343,01 ₽
от 300299,90 ₽
от 500298,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD200N15N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current50 A
КорпусDPAK
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 50A; DPAK; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.