Антава

INFINEON

Транзистор IPD200N15N3 G

IPD200N15N3 G
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150V
Drain current
50A
Корпус
DPAK
On-state resistance
20mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD200N15N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150V
Drain current50A
КорпусDPAK
On-state resistance20mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 50A; DPAK; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.