Антава

INFINEON

Транзистор IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
67 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD12CN10NGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current67 A
Power dissipation125 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя