Антава

INFINEON

Транзистор IPD11DP10NMATMA1

IPD11DP10NMATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
-22A
Power dissipation
125W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD11DP10NMATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current-22A
Power dissipation125W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance111mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; 100V; -22A; 125W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.