Антава

INFINEON

Транзистор IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
DPAK, TO252

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPD100N04S402ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance1.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge118nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.