Антава

INFINEON

Транзистор IPD088N06N3GATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
71 W
Корпус
TO252-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD088N06N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность71 W
КорпусTO252-3
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; TO252-3

Документация

Документы пока не предоставлены.