Антава

INFINEON

Транзистор IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD082N10N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя