Антава

INFINEON

Транзистор IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
35 A
Рассеиваемая мощность
47 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 266 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%146,19 ₽

Сумма · с НДС 22%146,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1146,19 ₽
от 5115,15 ₽
от 10104,14 ₽
от 2593,13 ₽
от 5086,99 ₽
от 10082,30 ₽
от 50070,93 ₽
от 100066,42 ₽
от 250061,18 ₽
от 500057,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD075N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current35 A
Рассеиваемая мощность47 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя