Антава

INFINEON

Транзистор IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-70 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD068P03L3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-70 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя