Антава

INFINEON

Транзистор IPD050N10N5ATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Power dissipation
150 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD050N10N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Power dissipation150 W
КорпусDPAK3
On-state resistance4.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.