Антава

INFINEON

Транзистор IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 080 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%309,53 ₽

Сумма · с НДС 22%309,53 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1309,53 ₽
от 10138,36 ₽
от 50117,84 ₽
от 100109,45 ₽
от 50093,05 ₽
от 100090,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD050N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность68 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя