Антава

INFINEON

Транзистор IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
50A
Power dissipation
68W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD050N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current50A
Power dissipation68W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя