Антава

INFINEON

Транзистор IPD048N06L3 G

IPD048N06L3 G
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60V
Drain current
90A
Pulsed drain current
360A
Корпус
DPAK, TO252AA
On-state resistance
4.8mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD048N06L3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60V
Drain current90A
Pulsed drain current360A
КорпусDPAK, TO252AA
On-state resistance4.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; DPAK,TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.