Антава

INFINEON

Транзистор IPD048N06L3 G

IPD048N06L3 G
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
360 A
Корпус
DPAK, TO252AA
On-state resistance
4.8 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 265 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%207,83 ₽

Сумма · с НДС 22%14 963,76 ₽

От 72 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 72207,83 ₽
от 100190,67 ₽
от 300179,23 ₽
от 500158,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD048N06L3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current90 A
Pulsed drain current360 A
КорпусDPAK, TO252AA
On-state resistance4.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; DPAK,TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.