Антава

INFINEON

Транзистор IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
167 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 487 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%479,68 ₽

Сумма · с НДС 22%479,68 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1479,68 ₽
от 5403,94 ₽
от 10360,66 ₽
от 50266,89 ₽
от 100236,23 ₽
от 500218,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD034N06N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя