Антава

INFINEON

Транзистор IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
167 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 250 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%593,59 ₽

Сумма · с НДС 22%593,59 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1593,59 ₽
от 5456,47 ₽
от 10400,11 ₽
от 50294,92 ₽
от 100272,38 ₽
от 500268,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD031N06L3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя