Антава

INFINEON

Транзистор IPD031N06L3 G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
167 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 506 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%499,36 ₽

Сумма · с НДС 22%11 984,64 ₽

От 24 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 24499,36 ₽
от 30411,01 ₽
от 50393,73 ₽
от 100378,36 ₽
от 300332,27 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD031N06L3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation167 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge79nC
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.