INFINEON

Транзистор IPD031N06L3 G

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 400 A
Power dissipation: 167 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPD031N06L3 G
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™ 3
Drain-source voltage	60 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	400 A
Power dissipation	167 W
Корпус	DPAK3
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	79nC
Kind of channel	enhancement
Semiconductor structure	single transistor

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.